Hafnium (IV) oxide sputtering target, 101.4mm (4.0 in.) dia. x 6.35mm (0.25 in.) thick
氧化铪 溅射靶材(HAFNIUM OXIDE)
CAS: 71243-80-6
化学式: HfO2
| 中文名 | 氧化铪 溅射靶材 |
| 英文名 | HAFNIUM OXIDE |
| 别名 | 氧化铪 溅射靶材 氧化铪溅射靶材, 101.4MM (4.0IN) DIA X 6.35MM (0.25IN) THIC |
| 英文别名 | HAFNIUM OXIDE HAFNIUM(+4)OXIDE HAFNIUM(IV) OXIDE Hafnium (IV) oxide sputtering target, 101.4mm (4.0 in.) dia. x 6.35mm (0.25 in.) thick |
| CAS | 71243-80-6 |
| EINECS | 235-013-2 |
| 化学式 | HfO2 |
| 分子量 | 210.49 |
| 密度 | 9.68g/mLat 25°C(lit.) |
| 熔点 | 2810 °C |
| 外观 | 粉末 |
| 安全术语 | S22 - 切勿吸入粉尘。 S24/25 - 避免与皮肤和眼睛接触。 |
| WGK Germany | 3 |
Hafnium (IV) oxide sputtering target, 101.4mm (4.0 in.) dia. x 6.35mm (0.25 in.) thick - 简介
氧化铪是一种常见的靶材材料，具有许多重要的性质和用途。
性质：
- 氧化铪具有很强的化学稳定性，能够抵抗酸、碱等化学品的侵蚀。
- 其优异的电学性能，它常被用作电介质和高介电常数材料。
用途：
- 氧化铪可用于制备电容器、电解质和其他电子器件，用于集成电路、电阻器和混频器等。
- 它也可以作为涂层材料，提供保护、绝缘、抗磨损和高温性能。
- 氧化铪还广泛应用于光学薄膜、玻璃、陶瓷、陶瓷材料和光学薄膜。
制法：
- 制备氧化铪的方法包括化学气相沉积、溅射、沉淀、热分解等。
- 溅射是一种常用的制备氧化铪薄膜的方法，其原理是通过高能量的粒子轰击固体铪，使其表面原子脱离并沉积在靶材上。
- 溅射方法可以控制薄膜的厚度、组成和精度。
安全信息：
- 在处理氧化铪时，应采取适当的安全防护措施，包括佩戴防护手套和眼镜，以防止直接接触。
- 避免吸入或摄入氧化铪颗粒，应在操作时使用适当的通风设备。
- 氧化铪是一种尘埃剂，在使用过程中要避免产生氧化铪颗粒的扬尘，以防止对健康和环境的危害。
性质：
- 氧化铪具有很强的化学稳定性，能够抵抗酸、碱等化学品的侵蚀。
- 其优异的电学性能，它常被用作电介质和高介电常数材料。
用途：
- 氧化铪可用于制备电容器、电解质和其他电子器件，用于集成电路、电阻器和混频器等。
- 它也可以作为涂层材料，提供保护、绝缘、抗磨损和高温性能。
- 氧化铪还广泛应用于光学薄膜、玻璃、陶瓷、陶瓷材料和光学薄膜。
制法：
- 制备氧化铪的方法包括化学气相沉积、溅射、沉淀、热分解等。
- 溅射是一种常用的制备氧化铪薄膜的方法，其原理是通过高能量的粒子轰击固体铪，使其表面原子脱离并沉积在靶材上。
- 溅射方法可以控制薄膜的厚度、组成和精度。
安全信息：
- 在处理氧化铪时，应采取适当的安全防护措施，包括佩戴防护手套和眼镜，以防止直接接触。
- 避免吸入或摄入氧化铪颗粒，应在操作时使用适当的通风设备。
- 氧化铪是一种尘埃剂，在使用过程中要避免产生氧化铪颗粒的扬尘，以防止对健康和环境的危害。
最后更新：2024-04-10 22:29:15
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Hafnium (IV) oxide sputtering target, 101.4mm (4.0 in.) dia. x 6.35mm (0.25 in.) thick 甲基磺酸甲酯(MSM) VPS34 inhibitor 1 (PIK-III analogue) COCAMIDE MIPA Aluminate(1-), chlorohydroxy2-(hydroxy-.kappa.O)propanoato(2-)-.kappa.O-, sodium, (T-4)-
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